Technology Insights vol.1
BKT Lab Note
[ CMP Slurry, 반도체 수율을 좌우하는 숨은 조연 ]
반도체 제조에 있어 가장 까다로운 공정 중 하나가 CMP입니다. 눈에 보이지 않는 슬러리 입자 하나가 제품의 성능과 수율을 결정한다면 믿으시겠습니까?
주요 내용
CMP(Chemical & Mechanical Polishing)공정에서 사용되는 CMP Slurry는 단순한 연마제가 아닙니다. 웨이퍼 연마 공정에 사용되는 CMP Slurry는 CMP 공정에 필수적으로 필요한 연마제로 상황에 따라 적합한 종료의 슬러리를 선택하여 사용해야 합니다.
CMP Slurry 입자의 크기, 균일성(PSD), 불순물 여부는 웨이퍼 표면의 품질에 직접적으로 영향을 미칩니다. 주로 입자의 크기가 작을수록 표면 거칠기가 감소하나 너무 작은 입자 크기는 목표 연마율이 낮을 수 있습니다. 가장 중요한 요소는 입자의 균일성 입니다.
슬러리가 응집되거나 뭉쳐 크기가 균일하지 않은 경우에는 웨이퍼에 심각한 손상을 야기할 수 있으며 불순물 여부 또한 마찬가지 입니다. 슬러리를 균일하게 분산시키기 위해서 슬러리 제조시 조성이나 방법이 중요하고 추가로 슬러리 내부 불순물을 제거하는 것이 중요합니다. 내부에 남은 불순물은 정전기적 인력으로 제품화 과정에서 슬러리를 뭉치게하고 불균일하게 만듭니다. 이를 해결하기 위해서는 슬러리를 정제하는 과정이 필요하게 됩니다.
[ 주요 Application ]
[ 실험 Reference ]
- 실험 내용 : CMP슬러리 생산 공정
- 실험 대상 : CMP Slurry(Ceria)
- 적용 기술 : FMX-P(4m^2)
- 실험 결과 : CMP Slurry 세척으로 품질향상 농축으로 후단공정 부하 감소
NEWS
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